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IPI120P04P404AKSA1

IPI120P04P404AKSA1

僅供參考

型號 IPI120P04P404AKSA1
PNEDA編號 IPI120P04P404AKSA1
描述 MOSFET P-CH TO262-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,554
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 8 - 七月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPI120P04P404AKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPI120P04P404AKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IPI120P04P404AKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 340µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs205nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14790pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)136W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO262-3-1
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 300V

FET功能

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

900mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 900mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

219pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

625mW (Ta)

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21.3mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2260pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

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FET功能

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功耗(最大值)

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