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IPG20N06S4L11ATMA1

IPG20N06S4L11ATMA1

僅供參考

型號 IPG20N06S4L11ATMA1
PNEDA編號 IPG20N06S4L11ATMA1
描述 MOSFET 2N-CH 8TDSON
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,924
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 13 - 七月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPG20N06S4L11ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPG20N06S4L11ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IPG20N06S4L11ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A
Rds On(Max)@ Id,Vgs11.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 28µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs53nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4020pF @ 25V
功率-最大65W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PG-TDSON-8-4

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9875pF @ 25V

功率-最大

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11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 7.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1510pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

235pF @ 15V

功率-最大

1.4W

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