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IPG16N10S4L61AATMA1

IPG16N10S4L61AATMA1

僅供參考

型號 IPG16N10S4L61AATMA1
PNEDA編號 IPG16N10S4L61AATMA1
描述 MOSFET 2N-CH 8TDSON
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,790
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 20 - 六月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPG16N10S4L61AATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPG16N10S4L61AATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IPG16N10S4L61AATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A
Rds On(Max)@ Id,Vgs61mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 90µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds845pF @ 25V
功率-最大29W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PG-TDSON-8-10

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 100mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

83mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

480pF @ 10V

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