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IPG15N06S3L-45

IPG15N06S3L-45

僅供參考

型號 IPG15N06S3L-45
PNEDA編號 IPG15N06S3L-45
描述 MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 19 - 七月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPG15N06S3L-45資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPG15N06S3L-45
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IPG15N06S3L-45, IPG15N06S3L-45數據表 (總頁數: 9, 大小: 163.5 KB)
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IPG15N06S3L-45規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 10µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1420pF @ 25V
功率-最大21W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PG-TDSON-8-4

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70A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 30A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2260pF @ 100V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

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520pF @ 10V

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 32V

功率-最大

1.39W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 25V

功率-最大

2.4W

工作溫度

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制造商

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系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2250pF @ 25V

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