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IPD50R950CEBTMA1

IPD50R950CEBTMA1

僅供參考

型號 IPD50R950CEBTMA1
PNEDA編號 IPD50R950CEBTMA1
描述 MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,766
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPD50R950CEBTMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPD50R950CEBTMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPD50R950CEBTMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)13V
Rds On(Max)@ Id,Vgs950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds231pF @ 100V
FET功能Super Junction
功耗(最大值)34W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO252-3
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

459pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-26

包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 12µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

605pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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