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IMB11AT110

IMB11AT110

僅供參考

型號 IMB11AT110
PNEDA編號 IMB11AT110
描述 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 22,116
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IMB11AT110資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IMB11AT110
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
IMB11AT110, IMB11AT110數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,529.42 KB)
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IMB11AT110規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SMT6

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

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當前-集電極截止(最大值)

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