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IKY75N120CS6XKSA1

IKY75N120CS6XKSA1

僅供參考

型號 IKY75N120CS6XKSA1
PNEDA編號 IKY75N120CS6XKSA1
描述 IGBT 1200V 75A TO247PLUS
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,388
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IKY75N120CS6XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IKY75N120CS6XKSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IKY75N120CS6XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列TrenchStop™
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)150A
電流-集電極脈沖(Icm)300A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 75A
功率-最大880W
開關能量2.2mJ (on), 2.95mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用530nC
25°C時的Td(開/關)32ns/300ns
測試條件600V, 75A, 4Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)205ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-4
供應商設備包裝PG-TO247-4-2

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

31A

電流-集電極脈沖(Icm)

124A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 17A

功率-最大

100W

開關能量

630µJ (on), 1.39mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

51nC

25°C時的Td(開/關)

42ns/230ns

測試條件

480V, 17A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

STGWT20H60DF

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 20A

功率-最大

167W

開關能量

209µJ (on), 261µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

115nC

25°C時的Td(開/關)

42.5ns/177ns

測試條件

400V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

90ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

TO-3P

IRGIB4630DPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

*

IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

47A

電流-集電極脈沖(Icm)

54A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 18A

功率-最大

206W

開關能量

95µJ (on), 350µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

35nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/105ns

測試條件

400V, 18A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

TO-220 Full Pack

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 60A

功率-最大

349W

開關能量

1.69mJ (on), 630µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

102nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/87ns

測試條件

400V, 60A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

34.6ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 40A

功率-最大

306W

開關能量

1.68mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

223nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/197ns

測試條件

400V, 40A, 7.9Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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