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IFS100B12N3E4B31BOSA1

IFS100B12N3E4B31BOSA1

僅供參考

型號 IFS100B12N3E4B31BOSA1
PNEDA編號 IFS100B12N3E4B31BOSA1
描述 MOD IGBT LOW PWR ECONO
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,240
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 17 - 六月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IFS100B12N3E4B31BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IFS100B12N3E4B31BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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IFS100B12N3E4B31BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)200A
功率-最大515W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce6.3nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.5V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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當前-集電極截止(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

3.1nF @ 25V

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輸入電容(Cies)@ Vce

230nF @ 10V

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Standard

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

4mA

輸入電容(Cies)@ Vce

42.4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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