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HYB25D128800CE-6

HYB25D128800CE-6

僅供參考

型號 HYB25D128800CE-6
PNEDA編號 HYB25D128800CE-6
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
制造商 Qimonda
單價 請求報價
庫存 3,168
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HYB25D128800CE-6資源

品牌 Qimonda
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HYB25D128800CE-6
類別半導體內存IC內存
數據表
HYB25D128800CE-6, HYB25D128800CE-6數據表 (總頁數: 35, 大小: 1,979.09 KB)
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HYB25D128800CE-6規格

制造商Qimonda
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小128Mb (16M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP II

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內存接口

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時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

EEPROM

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

108MHz

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8ms, 5ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

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