HTNFET-D
僅供參考
| 型號 | HTNFET-D |
| PNEDA編號 | HTNFET-D |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
| 制造商 | Honeywell Aerospace |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 2,988 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 六月 26 - 七月 1 (選擇加急運輸) |
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HTNFET-D資源
| 品牌 | Honeywell Aerospace |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | HTNFET-D |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
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HTNFET-D規格
| 制造商 | Honeywell Aerospace |
| 系列 | HTMOS™ |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 55V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | - |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 5V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2.4V @ 100µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 4.3nC @ 5V |
| Vgs（最大） | 10V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 290pF @ 28V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 50W (Tj) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 供應商設備包裝 | 8-CDIP-EP |
| 包裝/箱 | 8-CDIP Exposed Pad |
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