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HIP6603BCB

HIP6603BCB

僅供參考

型號 HIP6603BCB
PNEDA編號 HIP6603BCB
描述 IC DRIVER MOSFET SYNC BUCK 8SOIC
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 5,130
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 8 - 七月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HIP6603BCB資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HIP6603BCB
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
HIP6603BCB, HIP6603BCB數據表 (總頁數: 14, 大小: 732.6 KB)
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HIP6603BCB規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電10.8V ~ 13.2V
邏輯電壓-VIL,VIH-
電流-峰值輸出(源極,接收器)-
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)15V
上升/下降時間(典型值)20ns, 20ns
工作溫度0°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

IGBT

電壓-供電

4.5V ~ 16.5V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3.5A, 3.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

14.5ns, 15ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

210mA, 360mA

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

100ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

6

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.2mA, 1.2mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

3.5µs, 3µs

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

6.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.25A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

26ns, 18ns

工作溫度

0°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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驅動配置

High-Side or Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

500mA, 500mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

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上升/下降時間(典型值)

40ns, 28ns

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