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HIP6602BCB

HIP6602BCB

僅供參考

型號 HIP6602BCB
PNEDA編號 HIP6602BCB
描述 IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 14SOIC
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 4,464
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 23 - 六月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HIP6602BCB資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HIP6602BCB
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
HIP6602BCB, HIP6602BCB數據表 (總頁數: 12, 大小: 647.38 KB)
PDFHIP6602BCRZA-T數據表 封面
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HIP6602BCB規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量4
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電10.8V ~ 13.2V
邏輯電壓-VIL,VIH-
電流-峰值輸出(源極,接收器)-
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)15V
上升/下降時間(典型值)20ns, 20ns
工作溫度0°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝14-SOIC

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Half-Bridge

頻道類型

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驅動程序數量

6

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

11.5V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 350mA

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

125ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

28-SOIC

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驅動配置

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門類型

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

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-

工作溫度

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Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

10.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.25A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

26ns, 18ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 28V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 4A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

42ns, 30ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

10-WFDFN Exposed Pad

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門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 400mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

200ns, 25ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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