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HIP2101IRZT

HIP2101IRZT

僅供參考

型號 HIP2101IRZT
PNEDA編號 HIP2101IRZT
描述 IC DRVR HALF BRIDGE 100V 16-QFN
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 2,214
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 20 - 七月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HIP2101IRZT資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HIP2101IRZT
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
HIP2101IRZT, HIP2101IRZT數據表 (總頁數: 13, 大小: 734.27 KB)
PDFHIP2101IRT數據表 封面
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HIP2101IRZT規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電9V ~ 14V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.2V
電流-峰值輸出(源極,接收器)2A, 2A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)114V
上升/下降時間(典型值)10ns, 10ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-VQFN Exposed Pad
供應商設備包裝16-QFN-EP (5x5)

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頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

IGBT

電壓-供電

20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.75V, 4.3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

20mA, 15mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

9.2ns, 7.9ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

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-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

6.1V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.6V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

36ns, 32ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

驅動配置

High-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

7V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.5V, 3.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

10µs, 280µs

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3.5A, 3.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

15ns, 15ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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邏輯電壓-VIL,VIH

-

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-

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-

高壓側-最大(自舉)

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