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HIP2101IR4ZT

HIP2101IR4ZT

僅供參考

型號 HIP2101IR4ZT
PNEDA編號 HIP2101IR4ZT
描述 IC DRVR HALF BRIDGE 100V 12-DFN
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 3,762
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HIP2101IR4ZT資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HIP2101IR4ZT
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
HIP2101IR4ZT, HIP2101IR4ZT數據表 (總頁數: 13, 大小: 734.27 KB)
PDFHIP2101IRT數據表 封面
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HIP2101IR4ZT規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電9V ~ 14V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.2V
電流-峰值輸出(源極,接收器)2A, 2A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)114V
上升/下降時間(典型值)10ns, 10ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱12-VFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝12-DFN (4x4)

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頻道類型

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驅動程序數量

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N-Channel MOSFET

電壓-供電

8V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1A, 1A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

108V

上升/下降時間(典型值)

15ns, 15ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

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N-Channel MOSFET

電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

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電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

118V

上升/下降時間(典型值)

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工作溫度

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電流-峰值輸出(源極,接收器)

9A, 9A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 24ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

3.5V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 7A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

14ns, 12ns

工作溫度

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Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 17V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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