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HGTP5N120BND

HGTP5N120BND

僅供參考

型號 HGTP5N120BND
PNEDA編號 HGTP5N120BND
描述 IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,424
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 八月 20 - 八月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGTP5N120BND資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGTP5N120BND
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
HGTP5N120BND, HGTP5N120BND數據表 (總頁數: 10, 大小: 295.93 KB)
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HGTP5N120BND規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)21A
電流-集電極脈沖(Icm)40A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 5A
功率-最大167W
開關能量450µJ (on), 390µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用53nC
25°C時的Td(開/關)22ns/160ns
測試條件960V, 5A, 25Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)65ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

105A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 40A

功率-最大

600W

開關能量

1.9mJ (on), 1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

74nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/78ns

測試條件

450V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

440V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

功率-最大

125W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-/5µs

測試條件

300V, 9A, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

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Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

268W

開關能量

1.01mJ (on), 297µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

72.2nC

25°C時的Td(開/關)

19.2ns/65.6ns

測試條件

400V, 40A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

31.8ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247 Long Leads

制造商

IXYS

系列

GenX3™

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

180W

開關能量

2.85mJ (on), 6.47mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

50nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/290ns

測試條件

960V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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