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HGTP5N120BND

HGTP5N120BND

僅供參考

型號 HGTP5N120BND
PNEDA編號 HGTP5N120BND
描述 IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,424
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 25 - 四月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGTP5N120BND資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGTP5N120BND
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
HGTP5N120BND, HGTP5N120BND數據表 (總頁數: 10, 大小: 295.93 KB)
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HGTP5N120BND規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)21A
電流-集電極脈沖(Icm)40A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 5A
功率-最大167W
開關能量450µJ (on), 390µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用53nC
25°C時的Td(開/關)22ns/160ns
測試條件960V, 5A, 25Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)65ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

當前-集電極(Ic)(最大值)

105A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 40A

功率-最大

600W

開關能量

1.9mJ (on), 1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

74nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/78ns

測試條件

450V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

41A

電流-集電極脈沖(Icm)

82A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 21A

功率-最大

160W

開關能量

1.8mJ (on), 1.93mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

86nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/97ns

測試條件

800V, 21A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

63ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247AC

制造商

IXYS

系列

HiPerFAST™

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 30A

功率-最大

300W

開關能量

400µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/130ns

測試條件

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

13A

電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

功率-最大

60W

開關能量

60µJ (on), 80µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

26nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/110ns

測試條件

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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