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HGTG30N60B3D

HGTG30N60B3D

僅供參考

型號 HGTG30N60B3D
PNEDA編號 HGTG30N60B3D
描述 IGBT 600V 60A 208W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 16,914
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGTG30N60B3D資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGTG30N60B3D
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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HGTG30N60B3D規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)220A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 30A
功率-最大208W
開關能量550µJ (on), 680µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用170nC
25°C時的Td(開/關)36ns/137ns
測試條件480V, 30A, 3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)55ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 20A

功率-最大

278W

開關能量

1.3mJ (on), 1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

53nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/90ns

測試條件

600V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

140A

電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 75A

功率-最大

483W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

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測試條件

400V, 75A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IXYS

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電流-集電極脈沖(Icm)

8A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 2A

功率-最大

25W

開關能量

260µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

7.8nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/300ns

測試條件

800V, 2A, 150Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Infineon Technologies

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650V

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 48A

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325W

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門禁費用

145nC

25°C時的Td(開/關)

70ns/140ns

測試條件

400V, 48A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

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