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HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

僅供參考

型號 HGTD1N120BNS9A
PNEDA編號 HGTD1N120BNS9A
描述 IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 47,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 21 - 四月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGTD1N120BNS9A資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGTD1N120BNS9A
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
HGTD1N120BNS9A, HGTD1N120BNS9A數據表 (總頁數: 10, 大小: 217.31 KB)
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HGTD1N120BNS9A規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)5.3A
電流-集電極脈沖(Icm)6A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.9V @ 15V, 1A
功率-最大60W
開關能量70µJ (on), 90µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用14nC
25°C時的Td(開/關)15ns/67ns
測試條件960V, 1A, 82Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TO-252AA

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Renesas Electronics America

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-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 40A

功率-最大

260.4W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

74nC

25°C時的Td(開/關)

53ns/90ns

測試條件

400V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

3.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

73nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/350ns

測試條件

800V, 20A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

供應商設備包裝

TO-268

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IXYS

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電流-集電極脈沖(Icm)

32A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 8A

功率-最大

54W

開關能量

2.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

26.5nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/600ns

測試條件

800V, 8A, 120Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 20A

功率-最大

290W

開關能量

115µJ (on), 195µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

35nC

25°C時的Td(開/關)

8ns/35ns

測試條件

390V, 20A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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