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H11F1VM

H11F1VM

僅供參考

型號 H11F1VM
PNEDA編號 H11F1VM
描述 OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 12,450
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11F1VM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11F1VM
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11F1VM, H11F1VM數據表 (總頁數: 14, 大小: 432.27 KB)
PDFH11F2M數據表 封面
H11F2M數據表 頁面 2 H11F2M數據表 頁面 3 H11F2M數據表 頁面 4 H11F2M數據表 頁面 5 H11F2M數據表 頁面 6 H11F2M數據表 頁面 7 H11F2M數據表 頁面 8 H11F2M數據表 頁面 9 H11F2M數據表 頁面 10 H11F2M數據表 頁面 11

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H11F1VM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離7500Vpk
電流傳輸比(最小值)-
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)45µs, 45µs (Max)
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型MOSFET
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道-
電壓-正向(Vf)(典型值)1.3V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)-
工作溫度-40°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱6-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝6-DIP

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電流傳輸比(最小值)

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開啟/關閉時間(典型值)

2µs, 8µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington

電壓-輸出(最大值)

20V

電流-輸出/通道

40mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.4V

電流-直流正向(If)(最大值)

10mA

Vce飽和度(最大值)

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

20µs, 20µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

35V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.3V (Max)

電流-直流正向(If)(最大值)

40mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

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電流傳輸比(最小值)

100% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

200% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

10µs, 9µs

上升/下降時間(典型值)

6µs, 8µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.65V (Max)

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

80% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

160% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

6µs, 8µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

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開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

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輸入類型

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輸出類型

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電壓-輸出(最大值)

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電流-輸出/通道

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