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H11B1M

H11B1M

僅供參考

型號 H11B1M
PNEDA編號 H11B1M_140
描述 OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP
制造商 Everlight Electronics Co Ltd
單價 請求報價
庫存 3,407
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 九月 23 - 九月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11B1M資源

品牌 Everlight Electronics Co Ltd
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11B1M
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11B1M, H11B1M數據表 (總頁數: 13, 大小: 713.95 KB)
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H11B1M規格

制造商Everlight Electronics Co Ltd
系列-
頻道數1
電壓-隔離5000Vrms
電流傳輸比(最小值)500% @ 1mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)25µs, 18µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Darlington with Base
電壓-輸出(最大值)55V
電流-輸出/通道-
電壓-正向(Vf)(典型值)1.2V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)1V
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱6-DIP (0.400", 10.16mm)
供應商設備包裝6-DIP

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電流傳輸比(最小值)

100% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

200% @ 1mA

開啟/關閉時間(典型值)

8µs, 7.5µs

上升/下降時間(典型值)

5µs, 7µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

55V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.1V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

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包裝/箱

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開啟/關閉時間(典型值)

5µs, 8µs

上升/下降時間(典型值)

5µs, 7µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.1V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

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電壓-隔離

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電流傳輸比(最小值)

40% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

320% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

2µs, 2µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.4V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

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電流傳輸比(最小值)

200% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

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開啟/關閉時間(典型值)

2µs, 6µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington

電壓-輸出(最大值)

20V

電流-輸出/通道

40mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.4V

電流-直流正向(If)(最大值)

10mA

Vce飽和度(最大值)

-

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