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H11AA814W

H11AA814W

僅供參考

型號 H11AA814W
PNEDA編號 H11AA814W
描述 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 3 - 五月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11AA814W資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11AA814W
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11AA814W, H11AA814W數據表 (總頁數: 9, 大小: 85.1 KB)
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H11AA814W規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)20% @ 1mA
電流傳輸比(最大值)300% @ 1mA
開啟/關閉時間(典型值)-
上升/下降時間(典型值)2.4µs, 2.4µs
輸入類型AC, DC
輸出類型Transistor
電壓-輸出(最大值)70V
電流-輸出/通道50mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.2V
電流-直流正向(If)(最大值)50mA
Vce飽和度(最大值)200mV
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱4-DIP (0.400", 10.16mm)
供應商設備包裝4-DIP

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3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

50% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

300% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

5µs, 7µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

30mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

30mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

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電壓-隔離

3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

50% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

600% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

3µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.3V (Max)

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Surface Mount

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電流傳輸比(最小值)

25% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

20µs, 20µs (Max)

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

40V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.5V (Max)

電流-直流正向(If)(最大值)

40mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

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安裝類型

Through Hole

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電流傳輸比(最小值)

32% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

100% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

20µs, 20µs (Max)

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

20V

電流-輸出/通道

8mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.5V

電流-直流正向(If)(最大值)

20mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-隔離

3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

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-

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電壓-輸出(最大值)

20V

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