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H11AA814A3S

H11AA814A3S

僅供參考

型號 H11AA814A3S
PNEDA編號 H11AA814A3S
描述 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $18.4392
100 ---------- $17.5748
250 ---------- $16.7105
500 ---------- $15.8462
750 ---------- $15.1259
1,000 ---------- $14.4056
庫存 3,031
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 3 - 五月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11AA814A3S資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11AA814A3S
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11AA814A3S, H11AA814A3S數據表 (總頁數: 9, 大小: 85.1 KB)
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H11AA814A3S規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)50% @ 1mA
電流傳輸比(最大值)150% @ 1mA
開啟/關閉時間(典型值)-
上升/下降時間(典型值)2.4µs, 2.4µs
輸入類型AC, DC
輸出類型Transistor
電壓-輸出(最大值)70V
電流-輸出/通道50mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.2V
電流-直流正向(If)(最大值)50mA
Vce飽和度(最大值)200mV
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝4-SMD

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-

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 3µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

500mV

工作溫度

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安裝類型

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

2µs, 2µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.18V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

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5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

40% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

80% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 2.3µs

上升/下降時間(典型值)

2µs, 2µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.39V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

130% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

260% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

6µs, 5µs

上升/下降時間(典型值)

3µs, 4.7µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.43V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

4-SMD, Gull Wing

供應商設備包裝

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

10µs, 9µs

上升/下降時間(典型值)

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