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H11AA1SR2VM

H11AA1SR2VM

僅供參考

型號 H11AA1SR2VM
PNEDA編號 H11AA1SR2VM
描述 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 14,712
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 24 - 七月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11AA1SR2VM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11AA1SR2VM
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11AA1SR2VM, H11AA1SR2VM數據表 (總頁數: 13, 大小: 401.61 KB)
PDFH11AA4TM數據表 封面
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H11AA1SR2VM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離4170Vrms
電流傳輸比(最小值)20% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)-
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型AC, DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道50mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.17V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)400mV
工作溫度-40°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝6-SMD

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

6µs, 5µs

上升/下降時間(典型值)

3µs, 4.7µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

30mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

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安裝類型

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

50% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

600% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-30°C ~ 100°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流傳輸比(最小值)

150% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

300% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

10µs, 7µs

上升/下降時間(典型值)

5µs, 7µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

30mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

30mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

400% @ 1mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

20µs, 30µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

40V

電流-輸出/通道

30mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.1V

電流-直流正向(If)(最大值)

80mA

Vce飽和度(最大值)

250mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

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5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

600% @ 1mA

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上升/下降時間(典型值)

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