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H11A1VM

H11A1VM

僅供參考

型號 H11A1VM
PNEDA編號 H11A1VM
描述 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,322
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11A1VM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11A1VM
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11A1VM, H11A1VM數據表 (總頁數: 9, 大小: 257.75 KB)
PDFH11A3FR2VM數據表 封面
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H11A1VM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離4170Vrms
電流傳輸比(最小值)50% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)2µs, 2µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道-
電壓-正向(Vf)(典型值)1.18V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)400mV
工作溫度-40°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱6-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝6-DIP

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開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 3µs

上升/下降時間(典型值)

2µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

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電流傳輸比(最小值)

130% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

260% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 3µs

上升/下降時間(典型值)

2µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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-

開啟/關閉時間(典型值)

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上升/下降時間(典型值)

100µs, 100µs

輸入類型

AC, DC

輸出類型

Darlington

電壓-輸出(最大值)

40V

電流-輸出/通道

200mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.17V

電流-直流正向(If)(最大值)

80mA

Vce飽和度(最大值)

1V

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Surface Mount

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ON Semiconductor

系列

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1

電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

160% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

320% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

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輸出類型

Transistor

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70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.35V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

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Through Hole

包裝/箱

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電流傳輸比(最小值)

40% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

80% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

2µs, 3µs

上升/下降時間(典型值)

1µs, 2µs

輸入類型

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