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H11A1TVM

H11A1TVM

僅供參考

型號 H11A1TVM
PNEDA編號 H11A1TVM
描述 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 23,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 29 - 五月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11A1TVM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11A1TVM
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11A1TVM, H11A1TVM數據表 (總頁數: 13, 大小: 398.34 KB)
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H11A1TVM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離4170Vrms
電流傳輸比(最小值)50% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)2µs, 2µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道-
電壓-正向(Vf)(典型值)1.18V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)400mV
工作溫度-40°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱6-DIP (0.400", 10.16mm)
供應商設備包裝6-DIP

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開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 2.3µs

上升/下降時間(典型值)

2µs, 2µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.39V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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開啟/關閉時間(典型值)

2µs, 2µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.18V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-SMD, Gull Wing

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

頻道數

1

電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

200% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.5V (Max)

電流-直流正向(If)(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-40°C ~ 85°C

安裝類型

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制造商

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系列

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頻道數

1

電壓-隔離

4170Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

2µs, 2µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.18V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-40°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流傳輸比(最小值)

40% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

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11µs, 7µs

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7µs, 6.7µs

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