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H11A1SR2VM

H11A1SR2VM

僅供參考

型號 H11A1SR2VM
PNEDA編號 H11A1SR2VM
描述 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 14,238
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11A1SR2VM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11A1SR2VM
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11A1SR2VM, H11A1SR2VM數據表 (總頁數: 13, 大小: 398.34 KB)
PDFH11A4VM數據表 封面
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H11A1SR2VM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離4170Vrms
電流傳輸比(最小值)50% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)2µs, 2µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道-
電壓-正向(Vf)(典型值)1.18V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)400mV
工作溫度-40°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝6-SMD

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

200ns, 200ns

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

25V

電流-輸出/通道

8mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.6V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

600% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

35V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流傳輸比(最小值)

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7.5µs, 5.7µs

上升/下降時間(典型值)

3.2µs, 4.7µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

150mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.15V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

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5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

70% @ 3mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

10µs, 400ns

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

150mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.25V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

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