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GL41BHE3/96

GL41BHE3/96

僅供參考

型號 GL41BHE3/96
PNEDA編號 GL41BHE3-96
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 43,338
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GL41BHE3/96資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GL41BHE3/96
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
GL41BHE3/96, GL41BHE3/96數據表 (總頁數: 5, 大小: 81.28 KB)
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GL41BHE3/96規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F8pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AB, MELF (Glass)
供應商設備包裝DO-213AB
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-215AB, SMC Gull Wing

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

640mV @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 60V

電容@ Vr,F

2050pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 150V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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770mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 60V

電容@ Vr,F

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