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GD5F4GQ4RBYIGY

GD5F4GQ4RBYIGY

僅供參考

型號 GD5F4GQ4RBYIGY
PNEDA編號 GD5F4GQ4RBYIGY
描述 SPI NAND FLASH
制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
單價 請求報價
庫存 2,862
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GD5F4GQ4RBYIGY資源

品牌 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GD5F4GQ4RBYIGY
類別半導體內存IC內存
數據表
GD5F4GQ4RBYIGY, GD5F4GQ4RBYIGY數據表 (總頁數: 28, 大小: 4,295.75 KB)
PDFGD25VE32CVIGR數據表 封面
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GD5F4GQ4RBYIGY規格

制造商GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率120MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-WSON (6x8)

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Volatile

內存格式

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-TBGA

供應商設備包裝

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AT45DB161D-TU

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

16Mb (528 Bytes x 4096 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

28-TSOP

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

14-TSSOP

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Toshiba Memory America, Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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