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GD25D10CTIG

GD25D10CTIG

僅供參考

型號 GD25D10CTIG
PNEDA編號 GD25D10CTIG
描述 NOR FLASH
制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
單價 請求報價
庫存 3,528
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 25 - 五月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GD25D10CTIG資源

品牌 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GD25D10CTIG
類別半導體內存IC內存
數據表
GD25D10CTIG, GD25D10CTIG數據表 (總頁數: 28, 大小: 4,295.75 KB)
PDFGD25VE32CVIGR數據表 封面
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GD25D10CTIG規格

制造商GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口SPI - Dual I/O
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁50µs, 4ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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工作溫度

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