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FZ800R12KS4B2NOSA1

FZ800R12KS4B2NOSA1

僅供參考

型號 FZ800R12KS4B2NOSA1
PNEDA編號 FZ800R12KS4B2NOSA1
描述 MODULE IGBT A-IHM130-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 18 - 六月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FZ800R12KS4B2NOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FZ800R12KS4B2NOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FZ800R12KS4B2NOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)1200A
功率-最大7600W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.7V @ 15V, 800A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce52nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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600V

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230A

功率-最大

730W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

9nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

D1

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.46nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

570A

功率-最大

2250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

22nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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Module

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制造商

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-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

1250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

輸入電容(Cies)@ Vce

10nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1000A

功率-最大

5800W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.5V @ 15V, 1000A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

200nF @ 10V

輸入

Standard

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No

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