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FS75R12KE3GBOSA1

FS75R12KE3GBOSA1

僅供參考

型號 FS75R12KE3GBOSA1
PNEDA編號 FS75R12KE3GBOSA1
描述 MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4
制造商 Infineon Technologies
單價
1 ---------- $1,586.6684
50 ---------- $1,512.2933
100 ---------- $1,437.9183
200 ---------- $1,363.5432
400 ---------- $1,301.5639
500 ---------- $1,239.5847
庫存 7,355
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 3 - 六月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FS75R12KE3GBOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FS75R12KE3GBOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FS75R12KE3GBOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
功率-最大355W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce5.3nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

220A

功率-最大

695W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

FZ600R17KE4HOSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1200A

功率-最大

3350W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

49nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

APTGLQ75H120T3G

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制造商

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

130A

功率-最大

385W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

SP1

供應商設備包裝

SP1

APTGT75DU120TG

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Dual, Common Source

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

350W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.34nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP4

供應商設備包裝

SP4

APTGT150H170G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Full Bridge Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

250A

功率-最大

890W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

350µA

輸入電容(Cies)@ Vce

13.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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