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FQU4P25TU

FQU4P25TU

僅供參考

型號 FQU4P25TU
PNEDA編號 FQU4P25TU
制造商 ON Semiconductor
描述 MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK
單價
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
庫存 490
倉庫 USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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運輸方式 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
預計交貨 四月 15 - 四月 20 (選擇加急運輸)
保修 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQU4P25TU資源

品牌 ON Semiconductor
制造商零件編號FQU4P25TU
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQU4P25TU, FQU4P25TU數據表 (總頁數: 9, 大小: 585.14 KB)
PDFFQD4P25TM數據表 封面
FQD4P25TM數據表 頁面 2 FQD4P25TM數據表 頁面 3 FQD4P25TM數據表 頁面 4 FQD4P25TM數據表 頁面 5 FQD4P25TM數據表 頁面 6 FQD4P25TM數據表 頁面 7 FQD4P25TM數據表 頁面 8 FQD4P25TM數據表 頁面 9

FQU4P25TU規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.1A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds420pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

58A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

77nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3540pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.6W (Ta), 46W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

330nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

625W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

114.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6665pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

315W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 25V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

2.5W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 130µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2660pF @ 25V

FET功能

Temperature Sensing Diode

功耗(最大值)

170W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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