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FQU1N60TU

FQU1N60TU

僅供參考

型號 FQU1N60TU
PNEDA編號 FQU1N60TU
描述 MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,394
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQU1N60TU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQU1N60TU
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQU1N60TU, FQU1N60TU數據表 (總頁數: 9, 大小: 543.8 KB)
PDFFQD1N60TM數據表 封面
FQD1N60TM數據表 頁面 2 FQD1N60TM數據表 頁面 3 FQD1N60TM數據表 頁面 4 FQD1N60TM數據表 頁面 5 FQD1N60TM數據表 頁面 6 FQD1N60TM數據表 頁面 7 FQD1N60TM數據表 頁面 8 FQD1N60TM數據表 頁面 9

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FQU1N60TU規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds150pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 30W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9Ohm @ 300mA, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-40°C ~ 110°C (TA)

安裝類型

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

205nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

270W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.7nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

801pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

44W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.98mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

155nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5171pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

163W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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