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FQP22N30

FQP22N30

僅供參考

型號 FQP22N30
PNEDA編號 FQP22N30
描述 MOSFET N-CH 300V 21A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 12,156
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 11 - 十二月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQP22N30資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQP22N30
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQP22N30, FQP22N30數據表 (總頁數: 10, 大小: 800.26 KB)
PDFFQP22N30數據表 封面
FQP22N30數據表 頁面 2 FQP22N30數據表 頁面 3 FQP22N30數據表 頁面 4 FQP22N30數據表 頁面 5 FQP22N30數據表 頁面 6 FQP22N30數據表 頁面 7 FQP22N30數據表 頁面 8 FQP22N30數據表 頁面 9 FQP22N30數據表 頁面 10

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FQP22N30規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)21A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs60nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2200pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)170W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SO

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FQP9N08L

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

QFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

210mOhm @ 4.65A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.1nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

200mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2320pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SO

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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