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FP50R12KT4B11BOSA1

FP50R12KT4B11BOSA1

僅供參考

型號 FP50R12KT4B11BOSA1
PNEDA編號 FP50R12KT4B11BOSA1
描述 IGBT MODULE 1200V 50A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,938
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 4 - 五月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FP50R12KT4B11BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FP50R12KT4B11BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FP50R12KT4B11BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型Trench Field Stop
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
功率-最大280W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce2.8nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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當前-集電極截止(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

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Yes

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1.5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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制造商

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配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

165A

功率-最大

640W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1.4mA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.4nF @ 25V

輸入

Standard

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