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FMB200

FMB200

僅供參考

型號 FMB200
PNEDA編號 FMB200
描述 TRANS 2PNP 45V 0.5A SSOT-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 28,398
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FMB200資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FMB200
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
FMB200, FMB200數據表 (總頁數: 9, 大小: 356.3 KB)
PDFFMB200數據表 封面
FMB200數據表 頁面 2 FMB200數據表 頁面 3 FMB200數據表 頁面 4 FMB200數據表 頁面 5 FMB200數據表 頁面 6 FMB200數據表 頁面 7 FMB200數據表 頁面 8 FMB200數據表 頁面 9

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FMB200規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 20mA, 200mA
當前-集電極截止(最大值)50nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 5V
功率-最大700mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝SuperSOT™-6

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

375mV @ 15mA, 750mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 100mA, 2V

功率-最大

1.1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

390mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 1A, 2V

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2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

-

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2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-78-6 Metal Can

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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