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FJY3014R

FJY3014R

僅供參考

型號 FJY3014R
PNEDA編號 FJY3014R
描述 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 4 - 六月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJY3014R資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJY3014R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
FJY3014R, FJY3014R數據表 (總頁數: 4, 大小: 254.45 KB)
PDFFJY3014R數據表 封面
FJY3014R數據表 頁面 2 FJY3014R數據表 頁面 3 FJY3014R數據表 頁面 4

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FJY3014R規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡250MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-89, SOT-490
供應商設備包裝SOT-523F

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

頻率-過渡

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功率-最大

200mW

安裝類型

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

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制造商

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系列

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

470 Ohms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SOT-323

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

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