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FJPF5200RTU

FJPF5200RTU

僅供參考

型號 FJPF5200RTU
PNEDA編號 FJPF5200RTU
描述 TRANS NPN 250V 17A TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,502
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 18 - 六月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJPF5200RTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJPF5200RTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJPF5200RTU, FJPF5200RTU數據表 (總頁數: 5, 大小: 487.02 KB)
PDFFJPF5200RTU數據表 封面
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FJPF5200RTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)17A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 800mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)5µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce55 @ 1A, 5V
功率-最大50W
頻率-過渡30MHz
工作溫度-50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220F

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

17A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 800mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

5µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 5V

功率-最大

50W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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