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FJP5021O

FJP5021O

僅供參考

型號 FJP5021O
PNEDA編號 FJP5021O
描述 TRANS NPN 500V 5A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJP5021O資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJP5021O
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJP5021O, FJP5021O數據表 (總頁數: 5, 大小: 57.3 KB)
PDFFJP5021OTU數據表 封面
FJP5021OTU數據表 頁面 2 FJP5021OTU數據表 頁面 3 FJP5021OTU數據表 頁面 4 FJP5021OTU數據表 頁面 5

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FJP5021O規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)500V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 600mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 600mA, 5V
功率-最大50W
頻率-過渡18MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1A, 6A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

功率-最大

65W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

2N4403NLBU

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 200mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 5A, 1A

當前-集電極截止(最大值)

200nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1A, 5V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

供應商設備包裝

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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