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FJP3307DTU

FJP3307DTU

僅供參考

型號 FJP3307DTU
PNEDA編號 FJP3307DTU
描述 TRANS NPN 400V 8A TO220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 6 - 七月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJP3307DTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJP3307DTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJP3307DTU, FJP3307DTU數據表 (總頁數: 7, 大小: 281.33 KB)
PDFFJP3307DH2TU數據表 封面
FJP3307DH2TU數據表 頁面 2 FJP3307DH2TU數據表 頁面 3 FJP3307DH2TU數據表 頁面 4 FJP3307DH2TU數據表 頁面 5 FJP3307DH2TU數據表 頁面 6 FJP3307DH2TU數據表 頁面 7

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FJP3307DTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 2A, 8A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce5 @ 5A, 5V
功率-最大80W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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制造商

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 10µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

功率-最大

65W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 200mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

110MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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