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FII50-12E

FII50-12E

僅供參考

型號 FII50-12E
PNEDA編號 FII50-12E
描述 IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,886
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 29 - 五月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FII50-12E資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FII50-12E
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-陣列
數據表
FII50-12E, FII50-12E數據表 (總頁數: 4, 大小: 79.55 KB)
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FII50-12E規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型NPT
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
功率-最大200W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.6V @ 15V, 30A
當前-集電極截止(最大值)400µA
輸入電容(Cies)@ Vce2nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱i4-Pac™-5
供應商設備包裝ISOPLUS i4-PAC™

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

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安裝類型

-

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制造商

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IGBT類型

PT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

32A

功率-最大

130W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

125µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

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Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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PT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

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NTC熱敏電阻

No

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IXYS

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IGBT類型

NPT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

33A

功率-最大

150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

i4-Pac™-5

供應商設備包裝

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制造商

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IGBT類型

PT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

43A

功率-最大

150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

2.1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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