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FGPF70N30TDTU

FGPF70N30TDTU

僅供參考

型號 FGPF70N30TDTU
PNEDA編號 FGPF70N30TDTU
描述 IGBT 300V 49.2W TO220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 15 - 五月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGPF70N30TDTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGPF70N30TDTU
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGPF70N30TDTU, FGPF70N30TDTU數據表 (總頁數: 9, 大小: 692.47 KB)
PDFFGPF70N30TDTU數據表 封面
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FGPF70N30TDTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)160A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.5V @ 15V, 20A
功率-最大49.2W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用125nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)21ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220F

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當前-集電極(Ic)(最大值)

41A

電流-集電極脈沖(Icm)

112A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.15V @ 15V, 30A

功率-最大

250W

開關能量

1.15mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

141nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/250ns

測試條件

400V, 30A, 11Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PG-TO247-3

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

功率-最大

260W

開關能量

383µJ (on), 293µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

149nC

25°C時的Td(開/關)

37ns/146ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

53ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 32A

功率-最大

200W

開關能量

320µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

110nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/85ns

測試條件

480V, 32A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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