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FGH25N120FTDS

FGH25N120FTDS

僅供參考

型號 FGH25N120FTDS
PNEDA編號 FGH25N120FTDS
描述 IGBT 1200V 50A 313W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,226
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 7 - 七月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGH25N120FTDS資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGH25N120FTDS
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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FGH25N120FTDS規格

制造商ON Semiconductor
系列*
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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600V

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35A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 16A

功率-最大

190W

開關能量

380µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

33nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/116ns

測試條件

480V, 16A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

30ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 40A

功率-最大

290W

開關能量

1.13mJ (on), 310µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/115ns

測試條件

400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

18A

電流-集電極脈沖(Icm)

25A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.65V @ 15V, 5A

功率-最大

60W

開關能量

60µJ (on), 340µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

18nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/160ns

測試條件

390V, 5A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

41A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.25V @ 4V, 6A

功率-最大

150W

開關能量

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輸入類型

Logic

門禁費用

21nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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