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FGA15N120ANDTU

FGA15N120ANDTU

僅供參考

型號 FGA15N120ANDTU
PNEDA編號 FGA15N120ANDTU
描述 IGBT 1200V 24A 200W TO3P
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGA15N120ANDTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGA15N120ANDTU
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGA15N120ANDTU, FGA15N120ANDTU數據表 (總頁數: 8, 大小: 597.98 KB)
PDFFGA15N120ANDTU數據表 封面
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FGA15N120ANDTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)24A
電流-集電極脈沖(Icm)45A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.2V @ 15V, 15A
功率-最大200W
開關能量3.27mJ (on), 600µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用120nC
25°C時的Td(開/關)90ns/310ns
測試條件600V, 15A, 20Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)330ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3PN

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

34A

電流-集電極脈沖(Icm)

68A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 15V, 18A

功率-最大

100W

開關能量

260µJ (on), 3.45mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

50nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/540ns

測試條件

480V, 18A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

430V

當前-集電極(Ic)(最大值)

18A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 4V, 15A

功率-最大

115W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

85A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.35V @ 15V, 30A

功率-最大

227W

開關能量

470µJ (on), 1.35mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

168nC

25°C時的Td(開/關)

33ns/308ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PG-TO247-3

FGP3040G2-F085

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制造商

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

41A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.25V @ 4V, 6A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

21nC

25°C時的Td(開/關)

900ns/4.8µs

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

85A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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