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FF600R12ME4AB11BOSA1

FF600R12ME4AB11BOSA1

僅供參考

型號 FF600R12ME4AB11BOSA1
PNEDA編號 FF600R12ME4AB11BOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 600V 600A
制造商 Infineon Technologies
單價
1 ---------- $4,206.3585
50 ---------- $4,009.1855
100 ---------- $3,812.0124
200 ---------- $3,614.8394
400 ---------- $3,450.5285
500 ---------- $3,286.2176
庫存 5,877
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF600R12ME4AB11BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF600R12ME4AB11BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FF600R12ME4AB11BOSA1, FF600R12ME4AB11BOSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 643.24 KB)
PDFFF600R12ME4AB11BOSA1數據表 封面
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FF600R12ME4AB11BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置2 Independent
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大3350W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 600A
當前-集電極截止(最大值)3mA
輸入電容(Cies)@ Vce37nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Single Chopper

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

4300W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

54nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

APTGL90A120T1G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

110A

功率-最大

385W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP1

供應商設備包裝

SP1

MG06150S-BN4MM

Littelfuse

制造商

Littelfuse Inc.

系列

-

IGBT類型

-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

225A

功率-最大

500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.45V @ 15V, 150A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

9.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

S-3 Module

供應商設備包裝

S3

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Three Phase Inverter with Brake

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

功率-最大

85W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

600µA

輸入電容(Cies)@ Vce

0.8nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

E1

供應商設備包裝

E1

APTGT100DH60T3G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Asymmetrical Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

340W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

SP3

供應商設備包裝

SP3

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