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FF400R12KE3B2HOSA1

FF400R12KE3B2HOSA1

僅供參考

型號 FF400R12KE3B2HOSA1
PNEDA編號 FF400R12KE3B2HOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 650V 400A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,282
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 20 - 七月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF400R12KE3B2HOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF400R12KE3B2HOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FF400R12KE3B2HOSA1, FF400R12KE3B2HOSA1數據表 (總頁數: 8, 大小: 422.88 KB)
PDFFF400R12KE3B2HOSA1數據表 封面
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FF400R12KE3B2HOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置2 Independent
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)580A
功率-最大2000W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 400A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce28nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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制造商

Infineon Technologies

系列

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配置

2 Independent

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

780W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

650nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

CM200DU-12F

Powerex Inc.

制造商

Powerex Inc.

系列

IGBTMOD™

IGBT類型

Trench

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

590W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

54nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

VS-100MT060WDF

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

121A

功率-最大

462W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.29V @ 15V, 60A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

9.5nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

16-MTP Module

供應商設備包裝

MTP

CPV362M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

IGBT類型

-

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

7.2A

功率-最大

23W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 7.2A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

0.53nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

19-SIP (13 Leads), IMS-2

供應商設備包裝

IMS-2

BSM50GD120DN2G

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

78A

功率-最大

400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

33nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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