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FF150R12KE3GHOSA1

FF150R12KE3GHOSA1

僅供參考

型號 FF150R12KE3GHOSA1
PNEDA編號 FF150R12KE3GHOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 1200V 150A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,338
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 22 - 七月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF150R12KE3GHOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF150R12KE3GHOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FF150R12KE3GHOSA1, FF150R12KE3GHOSA1數據表 (總頁數: 8, 大小: 419.01 KB)
PDFFF150R12KE3GB2HOSA1數據表 封面
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FF150R12KE3GHOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Single Chopper
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)225A
功率-最大780W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 150A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce11nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Infineon Technologies

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

功率-最大

940W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

19nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

APTGT200SK170D3G

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

功率-最大

1250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

17nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

D-3 Module

供應商設備包裝

D3

APTGF50TDU120PG

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Triple, Dual - Common Source

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

312W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.45nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP6

供應商設備包裝

SP6-P

APTGT100DA60T1G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

340W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP1

供應商設備包裝

SP1

APTGT300DU60G

Microsemi

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系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Dual, Common Source

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

430A

功率-最大

1150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

350µA

輸入電容(Cies)@ Vce

24nF @ 25V

輸入

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NTC熱敏電阻

No

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