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FDS8958B

FDS8958B

僅供參考

型號 FDS8958B
PNEDA編號 FDS8958B
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 165,762
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 7 - 五月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS8958B資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS8958B
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDS8958B, FDS8958B數據表 (總頁數: 11, 大小: 635.32 KB)
PDFFDS8958B數據表 封面
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FDS8958B規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.4A, 4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs26mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds540pF @ 15V
功率-最大900mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1230pF @ 10V

功率-最大

620mW

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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70V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

165A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 82.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

480nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8800pF @ 25V

功率-最大

390W

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

485mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A, 15.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1535pF @ 15V

功率-最大

1.98W, 4.16W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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ON Semiconductor

制造商

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系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET功能

Logic Level Gate, 2.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 4.5V

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