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FDS4435

FDS4435

僅供參考

型號 FDS4435
PNEDA編號 FDS4435
制造商 ON Semiconductor
描述 MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
單價
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
庫存 360
倉庫 USA, Europe, China, Hong Kong SAR
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運輸方式 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
預計交貨 三月 5 - 三月 10 (選擇加急運輸)
保修 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS4435資源

品牌 ON Semiconductor
制造商零件編號FDS4435
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDS4435, FDS4435數據表 (總頁數: 5, 大小: 64.33 KB)
PDFFDS4435數據表 封面
FDS4435數據表 頁面 2 FDS4435數據表 頁面 3 FDS4435數據表 頁面 4 FDS4435數據表 頁面 5

FDS4435規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 5V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1604pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOIC
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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    我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。

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1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

530mW (Ta), 6.25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2460pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

695W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs(最大)

30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

130pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

52A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

66mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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功耗(最大值)

400W (Tc)

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