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FDMS3660AS

FDMS3660AS

僅供參考

型號 FDMS3660AS
PNEDA編號 FDMS3660AS
描述 MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,160
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 5 - 五月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMS3660AS資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMS3660AS
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDMS3660AS, FDMS3660AS數據表 (總頁數: 14, 大小: 488.93 KB)
PDFFDMS3660AS數據表 封面
FDMS3660AS數據表 頁面 2 FDMS3660AS數據表 頁面 3 FDMS3660AS數據表 頁面 4 FDMS3660AS數據表 頁面 5 FDMS3660AS數據表 頁面 6 FDMS3660AS數據表 頁面 7 FDMS3660AS數據表 頁面 8 FDMS3660AS數據表 頁面 9 FDMS3660AS數據表 頁面 10 FDMS3660AS數據表 頁面 11

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FDMS3660AS規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A, 30A
Rds On(Max)@ Id,Vgs8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.7V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2230pF @ 15V
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝Power56

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

320mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 300mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 250MA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

268pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

125mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.35nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18.5pF @ 5V

功率-最大

200mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

41mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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