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FDMC8321L

FDMC8321L

僅供參考

型號 FDMC8321L
PNEDA編號 FDMC8321L
描述 MOSFET N-CH 40V 22A 8-PQFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 53,664
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 10 - 五月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMC8321L資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMC8321L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDMC8321L, FDMC8321L數據表 (總頁數: 9, 大小: 366.83 KB)
PDFFDMC8321L數據表 封面
FDMC8321L數據表 頁面 2 FDMC8321L數據表 頁面 3 FDMC8321L數據表 頁面 4 FDMC8321L數據表 頁面 5 FDMC8321L數據表 頁面 6 FDMC8321L數據表 頁面 7 FDMC8321L數據表 頁面 8 FDMC8321L數據表 頁面 9

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FDMC8321L規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Ta), 49A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.5mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs61nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3900pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)2.3W (Ta), 40W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝Power33
包裝/箱8-PowerTDFN

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系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.56W (Ta), 2.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-363

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

SN7002NL6433HTMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

SIPMOS®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 26µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-23-3

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

APTM120UM70FAG

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

171A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 85.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 30mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1650nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

5000W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

SP6

包裝/箱

SP6

NTD6600N-001

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

146mOhm @ 6A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.28W (Ta), 56.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.3A (Ta), 28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2955pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

8-PowerTDFN

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